Значение слова магнетосопротивление

МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ (магниторезистный эффект) изменение электрического сопротивления проводника под действием магнитного поля. Обусловлено искривлением в магнитном поле траекторий носителей заряда. В обычных металлах при комнатной температуре сопротивление может изменяться на десятые доли % (при низких температурах в тех же полях сильнее), в ферромагнетиках - на единицы % (в поле напряженностью Н ~10 кЭ, т.е. ~106 А/м). В полупроводниках магнетосопротивление значительно больше и резко зависит от концентрации примесей и температуры.

магниторезистивный эффект, изменение электрического сопротивления твёрдого проводника под действием внешнего магнитного поля. Различают поперечное М., при котором электрический ток течёт перпендикулярно магнитному полю, и продольное М. (ток параллелен магнитному полю). Причина М. ≈ искривление траекторий носителей тока в магнитном поле. У полупроводников относительное изменение сопротивления Dr/r в 100 ≈ 10 000 раз больше, чем у металлов , и может достигать сотен %. М. относится к группе гальваномагнитных явлений . М. используется для исследования электронного энергетического спектра и механизма рассеяния носителей тока кристаллической решёткой, а также для измерения магнитных полей.

Лит.: Лифшиц И. М., Азбель М. Я., Каганов М. И., Электронная теория металлов, М., 1971; Блатт Ф., Физика электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., М., 1971; Ансельм А. И., Введение в теорию полупроводников, М. ≈ Л., 1962.

Э. М. Эпштейн.

Магнетосопротивление — изменение электрического сопротивления материала в магнитном поле . Впервые эффект был обнаружен в 1856 Уильямом Томсоном . В общем случае можно говорить о любом изменении тока через образец при том же приложенном напряжении и изменении магнитного поля . Все вещества в той или иной мере обладают магнетосопротивлением. Для сверхпроводников , способных без сопротивления проводить электрический ток , существует критическое магнитное поле , которое разрушает этот эффект и вещество переходит в нормальное состояние, в котором наблюдается сопротивление. В нормальных металлах эффект магнетосопротивления выражен слабее. В полупроводниках относительное изменение сопротивления может быть в 100—10 000 раз больше, чем в металлах .

Магнетосопротивление вещества зависит и от ориентации образца относительно магнитного поля. Это связано с тем, что магнитное поле не изменяет проекцию скорости частиц на направление магнитного поля, но благодаря силе Лоренца закручивает траектории в плоскости, перпендикулярной магнитному полю. Это объясняет, почему поперечное поле действует сильнее продольного. Здесь речь пойдёт в основном о поперечном магнетосопротивлении двумерных систем , когда магнитное поле ориентировано перпендикулярно к плоскости движения частиц.

На основе магниторезистивного эффекта создают датчики магнитного поля.